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SI4682DY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4682DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4682DY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1595pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 16A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Tc)

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Das Folgende sind "SI4682DY-T1-E3" -Einziper.

SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4682-A10-GMR

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4682-A10-GM

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4685-A10-GM

Beschreibung: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4684-A10-GM

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4684-A10-GMR

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4683-A10-GMR

Beschreibung: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4684-A10-GDR

SI4684-A10-GDR

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4684DY-T1-GE3

SI4684DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4683-A10-GM

Beschreibung: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4684DY-T1-E3

SI4684DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4685-A10-GMR

Beschreibung: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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