SI4816BDY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4816BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4816BDY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 6.8A, 10V
Leistung - max

1W, 1.25W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4816BDY-T1-GE3TR
SI4816BDYT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.8A, 8.2A
Basisteilenummer

SI4816

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Das Folgende sind "SI4816BDY-T1-GE3" -Einziper.

SI4816BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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