Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI4831BDY-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

4516478

SI4831BDY-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI4831BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4831BDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 3.3W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 6.6A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.6A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SI4831BDY-T1-GE3" -Einziper.

SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4831-B30-GUR

Beschreibung: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4835-B30-GU

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4830-A20-GU

Beschreibung: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4829DY-T1-E3

SI4829DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Beschreibung: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4831-B30-GU

Beschreibung: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4830ADY-T1-E3

SI4830ADY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4834BDY-T1-GE3

SI4834BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4830CDY-T1-GE3

SI4830CDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4833BDY-T1-GE3

SI4833BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4829DY-T1-GE3

SI4829DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.