SI4829DY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4829DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4829DY-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 3.1W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2A (Tc)

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Das Folgende sind "SI4829DY-T1-E3" -Einziper.

SI4830-A20-GU

Beschreibung: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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