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SI4890BDY-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4890BDY-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4890BDY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4890BDY-T1-GE3TR
    SI4890BDYT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1535pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 16A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    16A (Tc)

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Das Folgende sind "SI4890BDY-T1-GE3" -Einziper.
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4892DY-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4884BDY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

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SI4880DY-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

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SI4894BDY-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

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