SI4900DY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4900DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4900DY-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 4.3A, 10V
Leistung - max

3.1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4900DY-T1-E3TR
SI4900DYT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.3A
Basisteilenummer

SI4900

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Das Folgende sind "SI4900DY-T1-E3" -Einziper.

SI4900DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI4900DY-T1-E3

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