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SI4904DY-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4904DY-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 5A, 10V
  • Leistung - max
    3.25W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4904DY-T1-GE3TR
    SI4904DYT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2390pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A
  • Basisteilenummer
    SI4904
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

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SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

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vorrätig
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

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SI4896DY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

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SI4913DY-T1-GE3

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