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5313726SI5486DU-T1-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5486DU-T1-E3

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  • Artikelnummer
    SI5486DU-T1-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI5486DU-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 7.7A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Andere Namen
    SI5486DU-T1-E3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54nC @ 8V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

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Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5480DU-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

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SI5511DC-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

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SI5481DU-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

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