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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI5511DC-T1-E3

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SI5511DC-T1-E3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5511DC-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5511DC-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5511DC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Leistung - max

3.1W, 2.6W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

SI5511DC-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 5V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A, 3.6A
Basisteilenummer

SI5511

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Das Folgende sind "SI5511DC-T1-E3" -Einziper.

SI5509DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5486DU-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI5515DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5499DC-T1-GE3

SI5499DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5486DU-T1-GE3

SI5486DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5517DU-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5504DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

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SI5513DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

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SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

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SI5513CDC-T1-GE3

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