SI5855CDC-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5855CDC-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5855CDC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

1206-8 ChipFET™
Serie

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

SI5855CDC-T1-E3-ND
SI5855CDC-T1-E3TR
SI5855CDCT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

276pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 3.7A (Tc) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.7A (Tc)

Das Folgende sind "SI5855CDC-T1-E3" -Einziper.

SI5857DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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