SI5517DU-T1-E3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI5517DU-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5517DU-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® ChipFet Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Leistung - max

8.3W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® ChipFET™ Dual
Andere Namen

SI5517DU-T1-E3CT
SI5517DUT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A
Basisteilenummer

SI5517

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Wir haben langfristige Partnerschaften mit wichtigen globalen Logistikanbietern eingerichtet, die flexible und effiziente Versandlösungen anbieten, die auf Ihre einzigartigen Anforderungen zugeschnitten sind.Abhängig von der Größe, dem Gewicht und dem Ziel Ihrer Bestellung wählen wir den am besten geeigneten Versandunternehmen.Wir bieten auch Echtzeit-Logistikverfolgungsdienste an und ermöglichen es den Kunden, den Standort und den Status ihrer Waren jederzeit zu verstehen. Wenn Sie über bestimmte internationale Versandrouten oder einen bestimmten Spediteur verfügen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam-wir berücksichtigen Ihre Anforderungen gerne.

Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "SI5517DU-T1-E3" -Einziper.

SI5513DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5517DU-T1-E3

Online-Anfrage

SEMI: Der globale Umsatz des Marktes für Halbleitermateria...

Die 2nm-Prozessdefektdichte von TSMC trifft ein neues Tief,...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Kontrapunkt: Bis 2024 erreicht die globale Versand von CMOS...

Der 2nm-Chip von TSMC wird in der zweiten Jahreshälfte mit...

Starke Nachfrage nach analogen Chips, Texas Instruments Q2 ...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institution: Der selbst entwickelte Chip von Apple wird vor...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM -CEO warn

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics verbessert die Schlüssel -Chip -...

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache