SI5947DU-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5947DU-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5947DU-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® ChipFet Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Leistung - max

10.4W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® ChipFET™ Dual
Andere Namen

SI5947DU-T1-GE3TR
SI5947DUT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A
Basisteilenummer

SI5947

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Das Folgende sind "SI5947DU-T1-GE3" -Einziper.

SI5947DU-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5947DU-T1-GE3

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