SI6466ADQ-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI6466ADQ-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI6466ADQ-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.05W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.8A (Ta)

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Das Folgende sind "SI6466ADQ-T1-E3" -Einziper.

SI6459BDQ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI6466ADQ-T1-E3

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