SI7100DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7100DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7100DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3810pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 8V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

8V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

Das Folgende sind "SI7100DN-T1-GE3" -Einziper.

SI7060-EVB

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI7060-B-03-IVR

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

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SI7060-B-01-IV

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI7060-B-02-IV

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

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SI7102DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SI7102DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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SI7060-B-01-IVR

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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SI7060-B-00-IV

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI7106DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SI7107DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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