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4517575SI7102DN-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7102DN-T1-GE3

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  • Artikelnummer
    SI7102DN-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI7102DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8
  • Andere Namen
    SI7102DN-T1-GE3TR
    SI7102DNT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3720pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 8V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 12V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    35A (Tc)

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Das Folgende sind "SI7102DN-T1-GE3" -Einziper.
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Beschreibung: SI7060 EVALUATION BOARD

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7102DN-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7060-B-02-IVR

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Beschreibung: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

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Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7110DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

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