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SI7110DN-T1-E3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7110DN-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7110DN-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7110DN-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 21.1A, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Andere Namen

SI7110DN-T1-E3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 13.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.5A (Ta)

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Das Folgende sind "SI7110DN-T1-E3" -Einziper.

SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7114DN-T1-GE3

SI7114DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7107DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7108DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7114DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7106DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7104DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7113DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7112DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

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SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

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Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

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