Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI7452DP-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

1254530

SI7452DP-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7452DP-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI7452DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7452DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 19.3A, 10V
Verlustleistung (max)

1.9W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 11.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.5A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SI7452DP-T1-GE3" -Einziper.

SI7450DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7447ADP-T1-GE3

SI7447ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7455DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7446BDP-T1-E3

SI7446BDP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7452DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7454CDP-T1-GE3

SI7454CDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7448DP-T1-GE3

SI7448DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7447ADP-T1-E3

SI7447ADP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7450DP-T1-GE3

SI7450DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7455DP-T1-GE3

SI7455DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7456DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7454DP-T1-GE3

SI7454DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7446BDP-T1-GE3

SI7446BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7450DP-T1-RE3

SI7450DP-T1-RE3

Beschreibung: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7454DDP-T1-GE3

SI7454DDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7454DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7448DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.