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6996634SI7454DDP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7454DDP-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI7454DDP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI7454DDP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SI7454DDP-T1-GE3DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    550pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 21A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    21A (Tc)

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Das Folgende sind "SI7454DDP-T1-GE3" -Einziper.
SI7454DP-T1-GE3

SI7454DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7450DP-T1-RE3

SI7450DP-T1-RE3

Beschreibung: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7450DP-T1-E3

SI7450DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7452DP-T1-GE3

SI7452DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7447ADP-T1-GE3

SI7447ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7447ADP-T1-E3

SI7447ADP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7457DP-T1-GE3

SI7457DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7455DP-T1-GE3

SI7455DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7448DP-T1-GE3

SI7448DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7454DP-T1-E3

SI7454DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7455DP-T1-E3

SI7455DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7454CDP-T1-GE3

SI7454CDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7452DP-T1-E3

SI7452DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7448DP-T1-E3

SI7448DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7450DP-T1-GE3

SI7450DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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