SI7460DP-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7460DP-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7460DP-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)

1.9W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

Q5555889
SI7460DP-T1-E3-ND
SI7460DP-T1-E3TR
SI7460DPT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta)

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Das Folgende sind "SI7460DP-T1-E3" -Einziper.

SI7457DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7460DP-T1-E3

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