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4542699SI7868ADP-T1-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7868ADP-T1-E3

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  • Artikelnummer
    SI7868ADP-T1-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI7868ADP-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.25 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SI7868ADP-T1-E3-ND
    SI7868ADP-T1-E3TR
    SI7868ADPT1E3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6110pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    40A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

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