SI7882DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7882DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7882DP-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.9W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SI7882DP-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Ta)

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Das Folgende sind "SI7882DP-T1-GE3" -Einziper.

SI7862ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7882DP-T1-GE3

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