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SI7900AEDN-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI7900AEDN-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Leistung - max
    1.5W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Andere Namen
    SI7900AEDN-T1-GE3TR
    SI7900AEDNT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A
  • Basisteilenummer
    SI7900
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI7904DN-T1-E3

SI7904DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI7905DN-T1-E3

SI7905DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

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SI7900AEDN-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

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SI7909DN-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

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SI7901EDN-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

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SI7904BDN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7898DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

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SI7904DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

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SI7888DP-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

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SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

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