SI7900AEDN-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7900AEDN-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7900AEDN-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Leistung - max

1.5W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8 Dual
Andere Namen

SI7900AEDN-T1-E3TR
SI7900AEDNT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A
Basisteilenummer

SI7900

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Das Folgende sind "SI7900AEDN-T1-E3" -Einziper.

SI7892BDP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7900AEDN-T1-E3

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