Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI7972DP-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

6915467

SI7972DP-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7972DP-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.514

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI7972DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7972DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 11A, 10V
Leistung - max

22W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Andere Namen

SI7972DP-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 22W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SI7972DP-T1-GE3" -Einziper.

SI7964DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7962DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7980DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7956DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7960DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7949DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7983DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7958DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.