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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI7997DP-T1-GE3

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6783719

SI7997DP-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7997DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7997DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7997DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 20A, 10V
Leistung - max

46W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Andere Namen

SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DPT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A
Basisteilenummer

SI7997

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Das Folgende sind "SI7997DP-T1-GE3" -Einziper.

SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7962DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7956DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7960DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7949DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7958DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7980DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7964DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7983DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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