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SI8410DB-T2-E1

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8410DB-T2-E1
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8410DB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-Micro Foot (1x1)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

4-UFBGA
Andere Namen

SI8410DB-T2-E1TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Micro Foot (1x1)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

Das Folgende sind "SI8410DB-T2-E1" -Einziper.

SI8416DB-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

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Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

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Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

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Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

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Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

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Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

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