Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI8416DB-T1-GE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4100675

SI8416DB-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI8416DB-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI8416DB-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-microfoot
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    2.77W (Ta), 13W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    6-UFBGA
  • Andere Namen
    SI8416DB-T1-GE3DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1470pF @ 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    8V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 8V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    16A (Tc)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "SI8416DB-T1-GE3" -Einziper.
SI8420AB-D-ISR

SI8420AB-D-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI8420AB-D-IS

SI8420AB-D-IS

Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8420AD-D-IS

SI8420AD-D-IS

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8420AD-A-IS

SI8420AD-A-IS

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8410BD-A-IS

SI8410BD-A-IS

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8413DB-T1-E1

SI8413DB-T1-E1

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI8417DB-T2-E1

SI8417DB-T2-E1

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI8410BB-D-ISR

SI8410BB-D-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8420-B-IS

SI8420-B-IS

Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8410BB-D-IS

SI8410BB-D-IS

Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8410BD-D-IS

SI8410BD-D-IS

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI8410BD-D-ISR

SI8410BD-D-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8410AD-D-ISR

SI8410AD-D-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8420-A-IS

SI8420-A-IS

Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8415DB-T1-E1

SI8415DB-T1-E1

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI8410BD-A-ISR

SI8410BD-A-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8420AD-A-ISR

SI8420AD-A-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI8420-C-IS

SI8420-C-IS

Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.