SI8445DB-T2-E1

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8445DB-T2-E1
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8445DB-T2-E1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-Microfoot
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

84 mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

4-XFBGA, CSPBGA
Andere Namen

SI8445DB-T2-E1TR
SI8445DBT2E1
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 9.8A (Tc) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.8A (Tc)

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Das Folgende sind "SI8445DB-T2-E1" -Einziper.

SI8445BB-D-IS1R

Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI8445DB-T2-E1

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