SI8904EDB-T2-E1

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8904EDB-T2-E1
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8904EDB-T2-E1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-Micro Foot™ (1.5x1)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Leistung - max

1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-MICRO FOOT®CSP
Andere Namen

SI8904EDB-T2-E1TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 3.8A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.8A
Basisteilenummer

SI8904

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Das Folgende sind "SI8904EDB-T2-E1" -Einziper.

SI8920AC-IPR

Beschreibung: IC OP AMP ISOLATION 8DIP-GW

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI8904EDB-T2-E1

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