Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SIA533EDJ-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

6940227

SIA533EDJ-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA533EDJ-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.241

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SIA533EDJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIA533EDJ-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Leistung - max

7.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Andere Namen

SIA533EDJ-T1-GE3TR
SIA533EDJT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A
Basisteilenummer

SIA533

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SIA533EDJ-T1-GE3" -Einziper.

SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA813DJ-T1-GE3

SIA813DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA811DJ-T1-GE3

SIA811DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA517DJ-T1-GE3

SIA517DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA811DJ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA810DJ-T1-GE3

SIA810DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA814DJ-T1-GE3

SIA814DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA777EDJ-T1-GE3

SIA777EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA810DJ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA513DJ-T1-GE3

SIA513DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA511DJ-T1-GE3

SIA511DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.