SIA485DJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIA485DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SIA485DJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

15.6W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen

SIA485DJ-T1-GE3-ND
SIA485DJ-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

22 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 150V 1.6A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.6A (Tc)

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Das Folgende sind "SIA485DJ-T1-GE3" -Einziper.

SIA472EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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