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753693

SIB412DK-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB412DK-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIB412DK-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIB412DK-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-75-6L Single
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.4W (Ta), 13W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-75-6L
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.16nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Tc)

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Das Folgende sind "SIB412DK-T1-GE3" -Einziper.

SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB-129-02-F-S-LC

SIB-129-02-F-S-LC

Beschreibung: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Beschreibung: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB411DK-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Beschreibung: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB412DK-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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