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314023SIB417DK-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB417DK-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIB417DK-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIB417DK-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    52 mOhm @ 5.6A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Andere Namen
    SIB417DK-T1-GE3TR
    SIB417DKT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    675pF @ 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.75nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    8V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    9A (Tc)

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Das Folgende sind "SIB417DK-T1-GE3" -Einziper.
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

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SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

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SIB417EDK-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

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SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

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SIB411DK-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

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SIB415DK-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

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SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

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SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

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