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2576931SIF902EDZ-T1-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIF902EDZ-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIF902EDZ-T1-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIF902EDZ-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® (2x5)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Leistung - max
    1.6W
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 2x5
  • Andere Namen
    SIF902EDZ-T1-E3DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7A
  • Basisteilenummer
    SIF902E

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Das Folgende sind "SIF902EDZ-T1-E3" -Einziper.
APTM10TDUM19PG

APTM10TDUM19PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SIF912EDZ-T1-E3

SIF912EDZ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FDMD8240L

FDMD8240L

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 23A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MCH6601-TL-E

MCH6601-TL-E

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M10TB

SP8M10TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
AOD607

AOD607

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SIFS-1

SIFS-1

Beschreibung: CBL CLAMP BUNDLE WHITE FASTENER

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
FDMC3300NZA

FDMC3300NZA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A POWER33

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TC8220K6-G

TC8220K6-G

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
DMC2038LVT-7

DMC2038LVT-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ALD212904SAL

ALD212904SAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
SP8K1FU6TB

SP8K1FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7756TR

IRF7756TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FDMS3600S

FDMS3600S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7504TRPBF

IRF7504TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FW811-TL-E

FW811-TL-E

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTLJD3183CZTBG

NTLJD3183CZTBG

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDME1034CZT

FDME1034CZT

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
PMCPB5530X,115

PMCPB5530X,115

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
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