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SIF912EDZ-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIF912EDZ-T1-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIF912EDZ-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® (2x5)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
  • Leistung - max
    1.6W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 2x5
  • Andere Namen
    SIF912EDZ-T1-E3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.4A
  • Basisteilenummer
    SIF912E

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Das Folgende sind "SIF912EDZ-T1-E3" -Einziper.
2N7002BKV,115

2N7002BKV,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
APTM50DUM38TG

APTM50DUM38TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ALD114904PAL

ALD114904PAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IRF7104PBF

IRF7104PBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NX3020NAKVYL

NX3020NAKVYL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
SIF902EDZ-T1-E3

SIF902EDZ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI1016X-T1-E3

SI1016X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SH8M70TB1

SH8M70TB1

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIZ910DT-T1-GE3

SIZ910DT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIFS-1

SIFS-1

Beschreibung: CBL CLAMP BUNDLE WHITE FASTENER

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
IRF7351PBF

IRF7351PBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FDMD8260LET60

FDMD8260LET60

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 15A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7756TRPBF

IRF7756TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSTJD1155LT1G

NSTJD1155LT1G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI7224DN-T1-GE3

SI7224DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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