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SIHD9N60E-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD9N60E-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHD9N60E-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHD9N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-PAK (TO-252AA)
Serie

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

368 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

78W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SIHD9N60E-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

778pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 9A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHD9N60E-GE3" -Einziper.

SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD7N60E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF15N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF15N60E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF10N40D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF12N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD7N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF12N60E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF15N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF12N50C-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD6N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF12N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Hersteller: Vishay Siliconix

vorrätig

SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF12N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Hersteller: Vishay Siliconix

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SIHF12N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

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