Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SIHD6N65E-GE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6027798SIHD6N65E-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD6N65E-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$1.85
10+
$1.674
100+
$1.346
500+
$1.047
1000+
$0.867
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIHD6N65E-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-PAK (TO-252AA)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    78W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    SIHD6N65E-GE3CT
    SIHD6N65E-GE3CT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    820pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    650V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7A (Tc)
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHF10N40D-E3

SIHF10N40D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden