SIHH26N60E-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHH26N60E-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHH26N60E-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 8 x 8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

135 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

202W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

SIHH26N60E-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2815pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 25A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHH26N60E-T1-GE3" -Einziper.

SIHH14N65EF-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHH26N60E-T1-GE3

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