SIHP11N80E-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHP11N80E-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SIHP11N80E-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

179W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHP11N80E-GE3" -Einziper.

SIHJ8N60E-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHP11N80E-GE3

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