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4599945SIJ478DP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJ478DP-T1-GE3

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$1.737
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$0.84
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIJ478DP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIJ478DP-T1-GE3DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1855pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    80V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 80V 60A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    60A (Tc)
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RJK4006DPP-M0#T2

RJK4006DPP-M0#T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 8A TO220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
FCH150N65F-F155

FCH150N65F-F155

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
STL9N60M2

STL9N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
PSMN2R8-80BS,118

PSMN2R8-80BS,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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