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SIR106DP-T1-RE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR106DP-T1-RE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIR106DP-T1-RE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIR106DP-T1-RE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIR106DP-T1-RE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3610pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16.1A (Ta), 65.8A (Tc)

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Das Folgende sind "SIR106DP-T1-RE3" -Einziper.

SIR-34ST3F

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 100MA T-1

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIR-505STA47F

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR-568ST3F

Beschreibung: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIR-56ST3FF

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR1-03-L-S

SIR1-03-L-S

Beschreibung: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR-563ST3FN

Beschreibung: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR1-05-L-S-K-TR

SIR1-05-L-S-K-TR

Beschreibung: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR1-03-L-S-K-TR

SIR1-03-L-S-K-TR

Beschreibung: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

SIR12-21C/TR8

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Vishay Siliconix

vorrätig

SIR-341ST3FF

Beschreibung: EMITTER IR 940NM 75MA T-1

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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