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7006375SIR166DP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR166DP-T1-GE3

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  • Artikelnummer
    SIR166DP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIR166DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 15A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIR166DP-T1-GE3TR
    SIR166DPT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3340pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    40A (Tc)

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Das Folgende sind "SIR166DP-T1-GE3" -Einziper.
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR172ADP-T1-GE3

SIR172ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR172DP-T1-GE3

SIR172DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
RFQ
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR186DP-T1-RE3

SIR186DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR19-21C/TR8

SIR19-21C/TR8

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 65MA 0603

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
SIR12-21C/TR8

SIR12-21C/TR8

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
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SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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