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5518660SIR846ADP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR846ADP-T1-GE3

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  • Artikelnummer
    SIR846ADP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIR846ADP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIR846ADP-T1-GE3TR
    SIR846ADPT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    60A (Tc)

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SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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SIR844DP-T1-GE3

SIR844DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

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SIR846DP-T1-GE3

SIR846DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

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vorrätig
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SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

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SIR826DP-T1-GE3

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SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

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SIR820DP-T1-GE3

SIR820DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

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SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

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SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

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SIR866DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

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SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

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SIR870ADP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

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SIR864DP-T1-GE3

SIR864DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

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SIR862DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

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SIR846ADP-T1-RE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

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SIR826ADP-T1-GE3

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