SIR871DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIR871DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SIR871DP-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

89W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3395pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 100V 48A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

48A (Tc)

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SIR876ADP-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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