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3743532SIR873DP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR873DP-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIR873DP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIR873DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    47.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    104W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIR873DP-T1-GE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1805pF @ 75V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    150V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 150V 37A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    37A (Tc)

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Das Folgende sind "SIR873DP-T1-GE3" -Einziper.
SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

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vorrätig
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SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

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SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

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SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

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SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8

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vorrätig
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SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

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vorrätig
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SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

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SIR866DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

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SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

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SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

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vorrätig
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SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

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SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

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SIR864DP-T1-GE3

SIR864DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO

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SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR878DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

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