SIS780DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIS780DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SIS780DN-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

27.7W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Andere Namen

SIS780DN-T1-GE3-ND
SIS780DN-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

722pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Body)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Tc)

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Das Folgende sind "SIS780DN-T1-GE3" -Einziper.

SIS778DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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