SISA66DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SISA66DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SISA66DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3014pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Tc)

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