SISH410DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SISH410DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SISH410DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8SH
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8SH
Andere Namen

SISH410DN-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 22A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A (Ta), 35A (Tc)

Das Folgende sind "SISH410DN-T1-GE3" -Einziper.

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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