SISS10DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SISS10DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SISS10DN-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

57W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

SISS10DN-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Das Folgende sind "SISS10DN-T1-GE3" -Einziper.

SISS26DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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