SQ2319ES-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQ2319ES-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQ2319ES-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

3W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SQ2319ES-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 4.6A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.6A (Tc)
Basisteilenummer

SQ2319

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Das Folgende sind "SQ2319ES-T1-GE3" -Einziper.

SQ2360EES-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQ2319ES-T1-GE3

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